Fábrica de PRODUTOS, Provedores - Fabricantes de PRODUTOS de China

Módulos APD InGaAs

É un módulo de fotodiodo de avalancha de arseniuro de indio e galio con circuíto de preamplificación que permite amplificar o sinal de corrente débil e converterse en sinal de tensión para lograr o proceso de conversión de amplificación de sinal fotoeléctrico-fotón.

CONSULTA detalle
APD de catro cuadrantes

Consta de catro mesmas unidades de fotodiodo de avalancha de Si que proporciona unha alta sensibilidade que varía de UV a NIR.A lonxitude de onda máxima de resposta é de 980 nm.Capacidade de resposta: 40 A/W a 1064 nm.

CONSULTA detalle
Módulos APD de catro cuadrantes

Consta de catro mesmas unidades de fotodiodo de avalancha de Si con circuíto de preamplificación que permite amplificar o sinal de corrente débil e converterse en sinal de tensión para lograr o proceso de conversión de amplificación de sinal fotoeléctrico-fotón.

CONSULTA detalle
Módulos Si PIN de 850 nm

É un módulo de fotodiodo Si PIN de 850 nm con circuíto de preamplificación que permite amplificar o sinal de corrente débil e converterse en sinal de tensión para lograr o proceso de conversión da amplificación do sinal fotoeléctrico-fotón.

CONSULTA detalle
Fotodiodo Si PIN de 900 nm

É un fotodiodo Si PIN que funciona baixo polarización inversa e proporciona unha alta sensibilidade que varía de UV a NIR.A lonxitude de onda máxima de resposta é de 930 nm.

CONSULTA detalle
Fotodiodo Si PIN de 1064 nm

É un fotodiodo Si PIN que funciona baixo polarización inversa e proporciona unha alta sensibilidade que varía de UV a NIR.A lonxitude de onda máxima de resposta é de 980 nm.Capacidade de resposta: 0,3 A/W a 1064 nm.

CONSULTA detalle
Módulos de fibra Si PIN

O sinal óptico convértese en sinal actual introducindo fibra óptica.O módulo Si PIN ten un circuíto de preamplificación que permite amplificar o sinal de corrente débil e converterse en sinal de tensión para lograr o proceso de conversión da amplificación do sinal fotoeléctrico-fotón.

CONSULTA detalle
PIN Si de catro cuadrantes

Consta de catro mesmas unidades de fotodiodo Si PIN que funciona en sentido inverso e proporciona unha alta sensibilidade que varía de UV a NIR.A lonxitude de onda máxima de resposta é de 980 nm.Capacidade de resposta: 0,5 A/W a 1064 nm.

CONSULTA detalle
Módulos Si PIN de catro cuadrantes

Consiste en catro unidades simples ou dobradas de fotodiodo Si PIN con circuíto de preamplificación que permite amplificar o sinal de corrente débil e converterse en sinal de tensión para lograr o proceso de conversión de amplificación de sinal fotoeléctrico-fotón.

CONSULTA detalle
Si PIN mellorado UV

É un fotodiodo Si PIN con UV mellorada, que funciona en sentido inverso e proporciona unha alta sensibilidade que vai dende o UV ata o NIR.A lonxitude de onda máxima de resposta é de 800 nm.Capacidade de resposta: 0,15 A/W a 340 nm.

CONSULTA detalle
Láser YAG de 1064 nm -15 mJ-5

É un láser Nd: YAG con conmutación Q pasiva cunha lonxitude de onda de 1064 nm, potencia máxima ≥15 mJ, frecuencia de repetición de pulso de 1 ~ 5 hz (axustable) e ángulo de diverxencia ≤8 mrad.Ademais, é un láser pequeno e lixeiro e capaz de acadar unha alta produción de enerxía que pode ser unha fonte de luz ideal de distancia para algúns escenarios que teñen requisitos ríxidos de volume e peso, como o combate individual e o UAV aplícase nalgúns escenarios.

CONSULTA detalle
Láser YAG de 1064 nm-15 mJ-20

É un láser Nd:YAG con conmutación Q pasiva cunha lonxitude de onda de 1064 nm, unha potencia máxima ≥15 mJ e un ángulo de diverxencia ≤8 mrad.Ademais, é un láser pequeno e lixeiro que pode ser unha fonte de luz ideal de longa distancia de alta frecuencia (20 Hz).

CONSULTA detalle