Fotodiodo Si PIN de 900 nm
características
- Estrutura frontal iluminada
- Baixa corrente escura
- Alta resposta
- Alta fiabilidade
Aplicacións
- Comunicación por fibra óptica, detección e alcance
- Detección óptica de UV a NIR
- Detección rápida de pulso óptico
- Sistemas de control para a industria
Parámetro fotoeléctrico（@Ta=25℃）
| Elemento # | Categoría do paquete | Diámetro da superficie fotosensible (mm) | Rango de resposta espectral (nm) |
Lonxitude de onda de resposta máxima (nm) | Resposta (A/W) λ = 900 nm
| Tempo de subida λ = 900 nm VR= 15 V RL=50Ω(ns) | Corrente escura VR= 15 V (N / A) | Capacidade de unión VR= 15 V f = 1 MHz (pF) | Tensión de avaría （V）
|
| GT101Ф0.2 | Coaxial tipo II, 5501, TO-46, Tipo de enchufe | Ф0.2 |
4~1100 |
930
| 0,63 | 4 | 0.1 | 0,8 | > 200 |
| GT101Ф0.5 | Ф0.5 | 5 | 0.1 | 1.2 | |||||
| GT101Ф1 | Ф1.0 | 5 | 0.1 | 2.0 | |||||
| GT101Ф2 | A-5 | Ф2.0 | 7 | 0,5 | 6.0 | ||||
| GT101Ф4 | T0-8 | Ф4.0 | 10 | 1.0 | 20.0 | ||||
| GD3251Y | A-8 | Ф6.0 | 20 | 10 | 30 | ||||
| GT101Ф8 | T0-8 | Ф8.0 | 20 | 3.0 | 70,0 | ||||
| GD3252Y | T0-8 | 5,8×5,8 | 25 | 10 | 35 |
