Módulos Si PIN de 850 nm

Modelo: GD4213Y/ GD4251Y/ GD4251Y-A/ GD42121Y

Descrición curta:

É un módulo de fotodiodo Si PIN de 850 nm con circuíto de preamplificación que permite amplificar o sinal de corrente débil e converterse en sinal de tensión para lograr o proceso de conversión da amplificación do sinal fotoeléctrico-fotón.

obter cotización Descargar

Parámetro técnico

Etiquetas de produtos

características

Resposta de alta velocidade
Alta sensibilidade

Aplicacións

Fusible láser

Parámetro fotoeléctrico（@Ta=22±3℃）

Elemento #	Categoría do paquete	Diámetro da superficie fotosensible (mm)	Resposta	Tempo de subida (ns)	Rango dinámico (dB)	Tensión de funcionamento (V)	Tensión de ruído (mV)	Notas
Elemento #	Categoría do paquete	Diámetro da superficie fotosensible (mm)	λ=850nm, φ_e= 1 μW		λ = 850 nm	Tensión de funcionamento (V)	Tensión de ruído (mV)	Notas
GD4213Y	A-8	2	110	12	20	±5±0,3	12	-
GD4251Y		2	130	12	20	±6±0,3	40	(Ángulo de incidencia: 0°, transmitancia de 830nm~910nm ≥90%
GD4251Y-A		10 × 1,5	130	18	20	±6±0,3	40
GD42121Y		10 × 0,95	110	20	20	±5±0,1	25
Notas: a carga de proba do GD4213Y é de 50Ω, o resto dos demais son de 1MΩ