Módulos APD de 1064 nm

Modelo: GD6212Y/ GD6213Y/ GD6219Y

Descrición curta:

É un módulo de fotodiodo de avalancha de Si mellorado con circuíto de preamplificación que permite amplificar o sinal de corrente débil e converterse en sinal de tensión para lograr o proceso de conversión da amplificación do sinal fotoeléctrico-fotón.

obter cotización Descargar

Parámetro técnico

Etiquetas de produtos

características

Chip plano iluminado frontalmente
Resposta de alta velocidade
Alta ganancia de APD

Aplicacións

Distancia láser
Comunicación láser
Aviso láser

Parámetro fotoeléctrico（@Ta=22±3℃）

Elemento #	Categoría do paquete	Diámetro da superficie fotosensible (mm)	Rango de resposta espectral (nm)	Tensión de avaría （V）	Resposta M = 100 λ = 1064 nm (kV/W)	Tempo de subida (ns)	Ancho de banda (MHz)	Coeficiente de temperatura Ta = -40 ℃ ~ 85 ℃ （V/℃）	Potencia equivalente de ruído (pW/√Hz)	Concentricidade (μm)	Tipo substituído noutros países
GD6212Y	A-8	0,8	40~1100	350~500	150	8.8	40	2.2	0,15	≤50	C30950
GD6213Y		0,8			200	2	175	2.2	0,15		C30659-1060-R8BH
GD6219Y		3			280	7	50	2.4	0,27		C30659-1060-3A