English
DETECTOR

DETECTOR

  • APD de 355 nm

    APD de 355 nm

    É un fotodiodo de avalancha Si con gran superficie fotosensible e UV mellorada.Proporciona unha alta sensibilidade que varía de UV a NIR.

    CONSULTA detalle
  • APD de 800 nm

    APD de 800 nm

    É un fotodiodo de avalancha de Si que proporciona unha alta sensibilidade que varía de UV a NIR.A lonxitude de onda máxima de resposta é de 800 nm.

    CONSULTA detalle
  • APD de 905 nm

    APD de 905 nm

    É un fotodiodo de avalancha de Si que proporciona unha alta sensibilidade que varía de UV a NIR.A lonxitude de onda máxima de resposta é de 905 nm.

    CONSULTA detalle
  • APD de 1064 nm

    APD de 1064 nm

    É un fotodiodo de avalancha de Si que proporciona unha alta sensibilidade que varía de UV a NIR.A lonxitude de onda máxima de resposta é de 1064 nm.Capacidade de resposta: 36 A/W a 1064 nm.

    CONSULTA detalle
  • Módulos APD de 1064 nm

    Módulos APD de 1064 nm

    É un módulo de fotodiodo de avalancha de Si mellorado con circuíto de preamplificación que permite amplificar o sinal de corrente débil e converterse en sinal de tensión para lograr o proceso de conversión da amplificación do sinal fotoeléctrico-fotón.

    CONSULTA detalle
  • Módulos APD InGaAs

    Módulos APD InGaAs

    É un módulo de fotodiodo de avalancha de arseniuro de indio e galio con circuíto de preamplificación que permite amplificar o sinal de corrente débil e converterse en sinal de tensión para lograr o proceso de conversión de amplificación de sinal fotoeléctrico-fotón.

    CONSULTA detalle
  • APD de catro cuadrantes

    APD de catro cuadrantes

    Consta de catro mesmas unidades de fotodiodo de avalancha de Si que proporciona unha alta sensibilidade que varía de UV a NIR.A lonxitude de onda máxima de resposta é de 980 nm.Capacidade de resposta: 40 A/W a 1064 nm.

    CONSULTA detalle
  • Módulos APD de catro cuadrantes

    Módulos APD de catro cuadrantes

    Consta de catro mesmas unidades de fotodiodo de avalancha de Si con circuíto de preamplificación que permite amplificar o sinal de corrente débil e converterse en sinal de tensión para lograr o proceso de conversión de amplificación de sinal fotoeléctrico-fotón.

    CONSULTA detalle
  • Módulos Si PIN de 850 nm

    Módulos Si PIN de 850 nm

    É un módulo de fotodiodo Si PIN de 850 nm con circuíto de preamplificación que permite amplificar o sinal de corrente débil e converterse en sinal de tensión para lograr o proceso de conversión da amplificación do sinal fotoeléctrico-fotón.

    CONSULTA detalle
  • Fotodiodo Si PIN de 900 nm

    Fotodiodo Si PIN de 900 nm

    É un fotodiodo Si PIN que funciona baixo polarización inversa e proporciona unha alta sensibilidade que varía de UV a NIR.A lonxitude de onda máxima de resposta é de 930 nm.

    CONSULTA detalle
  • Fotodiodo Si PIN de 1064 nm

    Fotodiodo Si PIN de 1064 nm

    É un fotodiodo Si PIN que funciona baixo polarización inversa e proporciona unha alta sensibilidade que varía de UV a NIR.A lonxitude de onda máxima de resposta é de 980 nm.Capacidade de resposta: 0,3 A/W a 1064 nm.

    CONSULTA detalle
  • Módulos de fibra Si PIN

    Módulos de fibra Si PIN

    O sinal óptico convértese en sinal actual introducindo fibra óptica.O módulo Si PIN ten un circuíto de preamplificación que permite amplificar o sinal de corrente débil e converterse en sinal de tensión para lograr o proceso de conversión da amplificación do sinal fotoeléctrico-fotón.

    CONSULTA detalle
12Seguinte >>> Páxina 1/2
Preme Intro para buscar ou ESC para pechar