Serie de tubo único 905nmAPD

Modelo: GD5210Y-2-2-T046 / GD5210Y-2-5-T046 / GD5210Y-2-8-T046 / GD5210Y-2-2-LCC3 / GD5210Y-2-5-LCC3 / GD5210Y-2-2-P GD5210Y-2-5-P

Descrición curta:

O dispositivo é un fotodiodo de avalancha de silicio, a resposta espectral varía desde a luz visible ata o infravermello próximo e a lonxitude de onda máxima de resposta é de 905 nm.

obter cotización Descargar

Parámetro técnico

CARACTERÍSTICAS

APLICACIÓN

Etiquetas de produtos

Características fotoeléctricas (＠Ta＝22±3℃)
Modelo		GD5210Y-2-2-T046	GD5210Y-2-5-T046	GD5210Y-2-8-T046	GD5210Y-2-2-LCC3	GD5210Y-2-5-LCC3	GD5210Y-2-2-P	GD5210Y-2-5-P	Matriz
Formulario do paquete		A-46	A-46	A-46	LCC3	LCC3	envases de plástico	envases de plástico	PCB
Diámetro da superficie fotosensible (mm)		0,23	0,50	0,80	0,23	0,50	0,23	0,50	personalizado
Rango de resposta espectral (nm)		400~1100	400~1100	400~1100	400~1100	400~1100	400~1100	400~1100	400~1100
Lonxitude de onda de resposta máxima (nm)		905	905	905	905	905	905	905	905
Capacidade de resposta λ=905nm Φ=1μW M=100 (A/W)		55	55	55	55	55	55	55	55
Corrente escura M=100 (nA)	Típico	0,2	0,4	0,8	0,2	0,4	0,2	0,4	Segundo a fotosensibilidade
Corrente escura M=100 (nA)	Máximo	1.0	1.0	2.0	1.0	1.0	1.0	1.0	Un lado
Tempo de resposta λ=905nm R1=50Ω(ns)		0,6	0,6	0,6	0,6	0,6	0,6	0,6	Segundo a superficie fotosensible
Coeficiente de temperatura da tensión de traballo T = -40 ℃ ~ 85 ℃ (V/℃)		0,9	0,9	0,9	0,9	0,9	0,9	0,9	0,9
Capacidade total M=100 f=1MHz(pF)		1.0	1.2	2.0	1.0	1.2	1.0	1.2	Segundo a superficie fotosensible
tensión de ruptura IR=10μA(V)	Mínimo	130	130	130	130	130	130	130	160
tensión de ruptura IR=10μA(V)	Máximo	220	220	220	220	220	220	220	200

Anterior: Serie de tubo único 800nmAPD

Seguinte: Serie de tubo único 1064nmAPD

Estrutura de chip de plano frontal

Resposta de alta velocidade

Alta ganancia

Baixa capacidade de unión

Baixo ruído

O tamaño da matriz e a superficie fotosensible pódense personalizar

Distancia láser

Lidar

Aviso láser