Serie de módulos 1064nmAPD

Modelo: GD6212Y / GD6213Y / GD6219Y

Descrición curta:

O dispositivo é un módulo de fotodiodo de avalancha de silicio mellorado de 1064 nm cun circuíto preamplificador integrado, que pode amplificar sinais de corrente débiles e convertelos en saídas de sinal de tensión, realizando o proceso de conversión de "amplificación de sinal óptico-eléctrico".

obter cotización Descargar

Parámetro técnico

CARACTERÍSTICAS

APLICACIÓN

Etiquetas de produtos

Características fotoeléctricas (＠Ta＝22±3℃)
Modelo	GD6212Y	GD6213Y	GD6219Y
Formulario do paquete	A-8	A-8	A-8
Diámetro da superficie fotosensible (mm)	0,8	0,8	3
Rango de resposta espectral (nm)	400~1100	400~1100	400~1100
Tensión de ruptura (V)	350 ~ 500	350 ~ 500	350 ~ 500
Resposta M=100 I=1064nm (kV/W)	150	200	280
Tempo de subida (ns)	8.8	2	7
Ancho de banda (MHz)	40	175	50
Potencia de ruído equivalente (pW/√Hz)	0,15	0,15	2.7
Coeficiente de temperatura da tensión de traballo T = -40 ℃ ~ 85 ℃ (V/℃)	2.2	2.2	2.4
Concentricidade (μm)	≤50	≤50	≤50
Modelos alternativos do mesmo rendemento en todo o mundo	C30950	C30659-1060-R8BH	C30659-1060-3A

Estrutura de chip de plano frontal

Alta frecuencia de resposta

Alta sensibilidade do detector

Distancia láser

Lidar

Aviso láser